电容器件在emc中的设计-凯发旗舰

去耦电容的设计

当器件高速开关时，高速器件需要从电源分配网络吸收瞬态能量。去耦电容也为器件和元件提供一个局部的直流源，这对减小由于电流在板上传播而产生的尖峰很有作用。

在实际电路设计中，时钟等周期工作电路器件要进行重点的去耦处理。这是因为这些器件产生的开关能量相对集中，幅度较高，并会注入电源和地分配系统中。这种能量将以共模和差模的形式传到其它电路或控制系统中。去耦电容的自谐振频率必须要高于抑制时钟谐波的频率。典型地，当电路中信号沿为2ns或更小时，选择自谐振频率为10～30mhz的电容。常用的去耦电容是0.1uf再并联0.001uf。

注意：对于200～300mhz以上频率的供电电源，0.1uf并联0.001uf的电容器由于引线电感及电容的充放电速率影响就不太适用了。通常在多层pcb板中电源层与地层之间的分布电容，其自谐振频率为200～400mhz，如果元器件工作频率很高，借助pcb层结构的自谐振频率，作为一个大电容来提供很好的emi抑制效果，通常一个10cm2面积的电源层与地层平面，当距离为0.0254mm时，其间电容近似为225pf左右。

在pcb上进行元件放置时，要保证有足够的去耦电容，特别是对时钟发生电路来说，还要保证旁路和去耦电容的选取满足预期的应用；自谐振频率要考虑所有要抑制的时钟的谐波，通常情况下，要考虑原始时钟频率的5次谐波。

再通过一个电路设计中计算去耦电容的方法作为参考原理进行分析，但在实际中电路中并不适用。假如，电路中有10个数据驱动器同时进行开关输出，其边沿速率为1ns,负载电容为30pf，电压为2.5v，允许波动范围为±2%，则最简单的一种方法就是计算负载的瞬间消耗电流，计算方法如下：

1）计算负载需要的电流和所需的电容大小利用公式（1.1）、（1.2）计算

       i=c·du/dt             (1.1)

      c=i·dt/du             (1.2)

式（1.1）和式（1.2）中，i为瞬态负载电流，单位为（a）；du为电压变化率，单位为(v/ns);dt为电压上升沿的时间，单位为（ns）；c为负载电容大小，单位为（nf）。

根据电路中的已知参数代入公式（1.1）、（1.2）计算数据。

i=c·du/dt=30pf×2.5v/1ns=75ma;则总的电流itotal=10×75ma=750ma。

其所需要的电容c=i·dt/du=0.75a×1ns/(2.5×2%)=15nf

根据上面的理论，考虑温度和电压的影响可以取20～40nf的电容保证一定的余量设计。可以采用两个10nf的电容并联，以减少esr。这种计算方法比较直观简单，但实际的效果并不是很理想。特别是在高频应用时，会出现问题。比如，在电路中的电容即使其寄生电感很小约为1nh,但根据δu=l·di/dt计算其产生的瞬态压降δu=1nh×0.75/1ns=0.75v,这个结果显然也是不理想的。

因此，针对高频电路的设计时，需要采用另外一种更为有效的方法，在高频电路中主要分析回路电感的影响。同样应用上面的电路设计条件进行分析：

2）计算回路最大阻抗zmax;低频旁路电容的工作范围fbypass;高频截止频率fk

参数值大小利用公式（1.3）、（1.4）、（1.5）计算。

     zmax=δu/δi                  (1.3)

     fbypass=zmax/(2πl)              (1.4)

     fk=0.5/tr                    (1.5)

式（1.3）、（1.4）和式（1.5）中，δi为瞬态负载电流，单位为（a）；δu为电压的允许变化范围，单位为(v); l为允许的最大电感，单位为（ph）；tr为器件的边沿上升时间，单位为（ns）。

根据电路中的已知参数代入公式（1.3）、（1.4）、（1.5）计算数据。

则计算电源回路允许的最大阻抗zmax=δu/δi=（2.5×2%）/0.75=66.7mω

考虑低频旁路电容的工作范围fbypass=zmax/(2πl)，这里假设其寄生电感为5nh。同时假定频率低于fbypass时，由电路板上的大电解电容提供能量。

fbypass=zmax/(2πl)=66.7 mω/(2×3.14×5nh)=2.12mhz

考虑最高的有效频率fk=0.5/tr=0.5/1ns=500mhz;

这个截止频率代表了数字电路中能量最集中的频率范围，超过了这个截止频率将对数字信号的能量传输没有影响。因此可以计算出最大的有效截止频率下电容允许的最大电感ltotal

ltotal= zmax/(2πfk)=66.7/(2×3.14×500m)=21.2ph

电容在低频下不能超过允许的阻抗范围，可以计算出总的电容c值大小。

c=1/(2πfbypass·zmax)=1/(2×3.14×2.12mhz×66.7mω)=1.2uf

通过这个计算结果可以得出使用总电容大小为1.2uf,其电容总的寄生电感为21.2ph,而常用的电容器件其最小的电感可能都有1nh左右。因此，系统就需要很多的电容采用并联的方式在整个pcb上达到要求。从实际情况上来看这与实际也是不相符合的。如果实际的高速电路要求很高的话，只有尽可能选用esl较小的电容来避免使用大量的电容器件并联使用。

注意：实践中，去耦电容的容量选择并不严格，可以按c=1/f进行选用，f为电路频率，即10mhz频率以下选用0.1uf,100mhz频率以上选用0.01uf,10～100mhz频率之间，在0.01～0.1uf之间任意选择。

3）通常在产品ic数据手册中，对于去耦电容的选择需要满足下面的条件：

芯片与去耦电容两端的电压差δu=l·δi/δt需要小于器件的噪声容限。

从去耦电容为ic芯片提供所需要的电流角度考虑，其容量应满足：

              c≥δi·δt/δu

ic芯片的开关电流ic的放电速度必须小于去耦电容电流的最大放电速度：

              dic/dt≤δu/l

此外，当电源引线比较长时，瞬变电流（如果外部施加ems干扰测试）会引起较大的压降，此时就还需要增加电容以维持器件要求的电压值。